BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Numer części
BSZ100N06LS3GATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 23µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3500pF @ 30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26879 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BSZ100N06LS3GATMA1
BSZ100N06LS3GATMA1 Części elektroniczne
BSZ100N06LS3GATMA1 Obroty
BSZ100N06LS3GATMA1 Dostawca
BSZ100N06LS3GATMA1 Dystrybutor
BSZ100N06LS3GATMA1 Tabela danych
BSZ100N06LS3GATMA1 Zdjęcia
BSZ100N06LS3GATMA1 Cena
BSZ100N06LS3GATMA1 Oferta
BSZ100N06LS3GATMA1 Najniższa cena
BSZ100N06LS3GATMA1 Szukaj
BSZ100N06LS3GATMA1 Nabywczy
BSZ100N06LS3GATMA1 Chip