Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
AOWF4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
Numer części
AOWF4N60
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pakiet urządzeń dostawcy
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
640pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9716 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe AOWF4N60
AOWF4N60 Części elektroniczne
AOWF4N60 Obroty
AOWF4N60 Dostawca
AOWF4N60 Dystrybutor
AOWF4N60 Tabela danych
AOWF4N60 Zdjęcia
AOWF4N60 Cena
AOWF4N60 Oferta
AOWF4N60 Najniższa cena
AOWF4N60 Szukaj
AOWF4N60 Nabywczy
AOWF4N60 Chip