Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
AOWF10T60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO-262
Numer części
AOWF10T60P
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262F
Rozpraszanie mocy (maks.)
28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1595pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 28679 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe AOWF10T60P
AOWF10T60P Części elektroniczne
AOWF10T60P Obroty
AOWF10T60P Dostawca
AOWF10T60P Dystrybutor
AOWF10T60P Tabela danych
AOWF10T60P Zdjęcia
AOWF10T60P Cena
AOWF10T60P Oferta
AOWF10T60P Najniższa cena
AOWF10T60P Szukaj
AOWF10T60P Nabywczy
AOWF10T60P Chip