Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
AOWF10N60
MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
Numer części
AOWF10N60
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262F
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34045 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe AOWF10N60
AOWF10N60 Części elektroniczne
AOWF10N60 Obroty
AOWF10N60 Dostawca
AOWF10N60 Dystrybutor
AOWF10N60 Tabela danych
AOWF10N60 Zdjęcia
AOWF10N60 Cena
AOWF10N60 Oferta
AOWF10N60 Najniższa cena
AOWF10N60 Szukaj
AOWF10N60 Nabywczy
AOWF10N60 Chip