Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
AOWF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
Numer części
AOWF12N65
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pakiet urządzeń dostawcy
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
720 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
48nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2150pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21488 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe AOWF12N65
AOWF12N65 Części elektroniczne
AOWF12N65 Obroty
AOWF12N65 Dostawca
AOWF12N65 Dystrybutor
AOWF12N65 Tabela danych
AOWF12N65 Zdjęcia
AOWF12N65 Cena
AOWF12N65 Oferta
AOWF12N65 Najniższa cena
AOWF12N65 Szukaj
AOWF12N65 Nabywczy
AOWF12N65 Chip