onsemi (Ansemi)
Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Numer części
NXH100B120H3Q0STG
Kategoria
Power IC > Power Module
Producent/marka
onsemi (Ansemi)
Kapsułkowanie
-
Uszczelka
tray
Liczba opakowań
24
Opis
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 80099 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Słowa kluczowe NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Części elektroniczne
NXH100B120H3Q0STG Obroty
NXH100B120H3Q0STG Dostawca
NXH100B120H3Q0STG Dystrybutor
NXH100B120H3Q0STG Tabela danych
NXH100B120H3Q0STG Zdjęcia
NXH100B120H3Q0STG Cena
NXH100B120H3Q0STG Oferta
NXH100B120H3Q0STG Najniższa cena
NXH100B120H3Q0STG Szukaj
NXH100B120H3Q0STG Nabywczy
NXH100B120H3Q0STG Chip