onsemi (Ansemi)
Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NXH100B120H3Q0PTG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Numer części
NXH100B120H3Q0PTG
Kategoria
Power IC > Power Module
Producent/marka
onsemi (Ansemi)
Kapsułkowanie
-
Uszczelka
tray
Liczba opakowań
24
Opis
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 66448 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Słowa kluczowe NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Części elektroniczne
NXH100B120H3Q0PTG Obroty
NXH100B120H3Q0PTG Dostawca
NXH100B120H3Q0PTG Dystrybutor
NXH100B120H3Q0PTG Tabela danych
NXH100B120H3Q0PTG Zdjęcia
NXH100B120H3Q0PTG Cena
NXH100B120H3Q0PTG Oferta
NXH100B120H3Q0PTG Najniższa cena
NXH100B120H3Q0PTG Szukaj
NXH100B120H3Q0PTG Nabywczy
NXH100B120H3Q0PTG Chip