Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
VQ1006P-2
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Numer części
VQ1006P-2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
-
Moc - maks
2W
Pakiet urządzeń dostawcy
14-DIP
Typ FET
4 N-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
90V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 7716 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe VQ1006P-2
VQ1006P-2 Części elektroniczne
VQ1006P-2 Obroty
VQ1006P-2 Dostawca
VQ1006P-2 Dystrybutor
VQ1006P-2 Tabela danych
VQ1006P-2 Zdjęcia
VQ1006P-2 Cena
VQ1006P-2 Oferta
VQ1006P-2 Najniższa cena
VQ1006P-2 Szukaj
VQ1006P-2 Nabywczy
VQ1006P-2 Chip