Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SUD35N10-26P-E3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Numer części
SUD35N10-26P-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Rozpraszanie mocy (maks.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
47nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000pF @ 12V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
7V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16623 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SUD35N10-26P-E3
SUD35N10-26P-E3 Części elektroniczne
SUD35N10-26P-E3 Obroty
SUD35N10-26P-E3 Dostawca
SUD35N10-26P-E3 Dystrybutor
SUD35N10-26P-E3 Tabela danych
SUD35N10-26P-E3 Zdjęcia
SUD35N10-26P-E3 Cena
SUD35N10-26P-E3 Oferta
SUD35N10-26P-E3 Najniższa cena
SUD35N10-26P-E3 Szukaj
SUD35N10-26P-E3 Nabywczy
SUD35N10-26P-E3 Chip