Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SUB75P03-07-E3
MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
Numer części
SUB75P03-07-E3
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2Pak)
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.75W (Ta), 187W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
240nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17459 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SUB75P03-07-E3
SUB75P03-07-E3 Części elektroniczne
SUB75P03-07-E3 Obroty
SUB75P03-07-E3 Dostawca
SUB75P03-07-E3 Dystrybutor
SUB75P03-07-E3 Tabela danych
SUB75P03-07-E3 Zdjęcia
SUB75P03-07-E3 Cena
SUB75P03-07-E3 Oferta
SUB75P03-07-E3 Najniższa cena
SUB75P03-07-E3 Szukaj
SUB75P03-07-E3 Nabywczy
SUB75P03-07-E3 Chip