Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SQM100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Numer części
SQM100N02-3M5L_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D²Pak)
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5500pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39556 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQM100N02-3M5L_GE3
SQM100N02-3M5L_GE3 Części elektroniczne
SQM100N02-3M5L_GE3 Obroty
SQM100N02-3M5L_GE3 Dostawca
SQM100N02-3M5L_GE3 Dystrybutor
SQM100N02-3M5L_GE3 Tabela danych
SQM100N02-3M5L_GE3 Zdjęcia
SQM100N02-3M5L_GE3 Cena
SQM100N02-3M5L_GE3 Oferta
SQM100N02-3M5L_GE3 Najniższa cena
SQM100N02-3M5L_GE3 Szukaj
SQM100N02-3M5L_GE3 Nabywczy
SQM100N02-3M5L_GE3 Chip