Kup Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

SQJQ900E-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Numer części

SQJQ900E-T1_GE3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stan części

Active

Opakowanie

Cut Tape (CT)

temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® 8 x 8 Dual

Moc - maks

75W

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® 8 x 8 Dual

Typ FET

2 N-Channel (Dual)

Funkcja FET

Standard

Napięcie dren-źródło (Vdss)

40V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

120nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

5900pF @ 20V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 50388 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SQJQ100E-T1_GE3