SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Numer części
SQJQ100E-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerTDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 8 x 8
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
165nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14780pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 11045 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJQ100E-T1_GE3
SQJQ100E-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJQ100E-T1_GE3 Obroty
SQJQ100E-T1_GE3 Dostawca
SQJQ100E-T1_GE3 Dystrybutor
SQJQ100E-T1_GE3 Tabela danych
SQJQ100E-T1_GE3 Zdjęcia
SQJQ100E-T1_GE3 Cena
SQJQ100E-T1_GE3 Oferta
SQJQ100E-T1_GE3 Najniższa cena
SQJQ100E-T1_GE3 Szukaj
SQJQ100E-T1_GE3 Nabywczy
SQJQ100E-T1_GE3 Chip