Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SQJ262EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Numer części
SQJ262EP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Moc - maks
27W (Tc), 48W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51979 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJ262EP-T1_GE3
SQJ262EP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJ262EP-T1_GE3 Obroty
SQJ262EP-T1_GE3 Dostawca
SQJ262EP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJ262EP-T1_GE3 Tabela danych
SQJ262EP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJ262EP-T1_GE3 Cena
SQJ262EP-T1_GE3 Oferta
SQJ262EP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJ262EP-T1_GE3 Szukaj
SQJ262EP-T1_GE3 Nabywczy
SQJ262EP-T1_GE3 Chip