Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
Numer części
SQJ244EP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Moc - maks
27W (Tc), 48W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24798 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJ244EP-T1_GE3
SQJ244EP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJ244EP-T1_GE3 Obroty
SQJ244EP-T1_GE3 Dostawca
SQJ244EP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJ244EP-T1_GE3 Tabela danych
SQJ244EP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJ244EP-T1_GE3 Cena
SQJ244EP-T1_GE3 Oferta
SQJ244EP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJ244EP-T1_GE3 Szukaj
SQJ244EP-T1_GE3 Nabywczy
SQJ244EP-T1_GE3 Chip