SQD50N04-5M6_T4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Numer części
SQD50N04-5M6_T4GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Rozpraszanie mocy (maks.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
85nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21750 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQD50N04-5M6_T4GE3
SQD50N04-5M6_T4GE3 Części elektroniczne
SQD50N04-5M6_T4GE3 Obroty
SQD50N04-5M6_T4GE3 Dostawca
SQD50N04-5M6_T4GE3 Dystrybutor
SQD50N04-5M6_T4GE3 Tabela danych
SQD50N04-5M6_T4GE3 Zdjęcia
SQD50N04-5M6_T4GE3 Cena
SQD50N04-5M6_T4GE3 Oferta
SQD50N04-5M6_T4GE3 Najniższa cena
SQD50N04-5M6_T4GE3 Szukaj
SQD50N04-5M6_T4GE3 Nabywczy
SQD50N04-5M6_T4GE3 Chip