SQ3410EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6
Numer części
SQ3410EV-T1_GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1005pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25778 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQ3410EV-T1_GE3
SQ3410EV-T1_GE3 Części elektroniczne
SQ3410EV-T1_GE3 Obroty
SQ3410EV-T1_GE3 Dostawca
SQ3410EV-T1_GE3 Dystrybutor
SQ3410EV-T1_GE3 Tabela danych
SQ3410EV-T1_GE3 Zdjęcia
SQ3410EV-T1_GE3 Cena
SQ3410EV-T1_GE3 Oferta
SQ3410EV-T1_GE3 Najniższa cena
SQ3410EV-T1_GE3 Szukaj
SQ3410EV-T1_GE3 Nabywczy
SQ3410EV-T1_GE3 Chip