SQ1912AEEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
Numer części
SQ1912AEEH-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Moc - maks
1.5W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.25nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
27pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21843 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQ1912AEEH-T1_GE3
SQ1912AEEH-T1_GE3 Części elektroniczne
SQ1912AEEH-T1_GE3 Obroty
SQ1912AEEH-T1_GE3 Dostawca
SQ1912AEEH-T1_GE3 Dystrybutor
SQ1912AEEH-T1_GE3 Tabela danych
SQ1912AEEH-T1_GE3 Zdjęcia
SQ1912AEEH-T1_GE3 Cena
SQ1912AEEH-T1_GE3 Oferta
SQ1912AEEH-T1_GE3 Najniższa cena
SQ1912AEEH-T1_GE3 Szukaj
SQ1912AEEH-T1_GE3 Nabywczy
SQ1912AEEH-T1_GE3 Chip