SQ1421EDH-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Numer części
SQ1421EDH-T1_GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-70-6 (SOT-363)
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.3W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
355pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47057 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQ1421EDH-T1_GE3
SQ1421EDH-T1_GE3 Części elektroniczne
SQ1421EDH-T1_GE3 Obroty
SQ1421EDH-T1_GE3 Dostawca
SQ1421EDH-T1_GE3 Dystrybutor
SQ1421EDH-T1_GE3 Tabela danych
SQ1421EDH-T1_GE3 Zdjęcia
SQ1421EDH-T1_GE3 Cena
SQ1421EDH-T1_GE3 Oferta
SQ1421EDH-T1_GE3 Najniższa cena
SQ1421EDH-T1_GE3 Szukaj
SQ1421EDH-T1_GE3 Nabywczy
SQ1421EDH-T1_GE3 Chip