Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Numer części
SIZ918DT-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerWDFN
Moc - maks
29W, 100W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PowerPair® (6x5)
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
790pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39553 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIZ918DT-T1-GE3
SIZ918DT-T1-GE3 Części elektroniczne
SIZ918DT-T1-GE3 Obroty
SIZ918DT-T1-GE3 Dostawca
SIZ918DT-T1-GE3 Dystrybutor
SIZ918DT-T1-GE3 Tabela danych
SIZ918DT-T1-GE3 Zdjęcia
SIZ918DT-T1-GE3 Cena
SIZ918DT-T1-GE3 Oferta
SIZ918DT-T1-GE3 Najniższa cena
SIZ918DT-T1-GE3 Szukaj
SIZ918DT-T1-GE3 Nabywczy
SIZ918DT-T1-GE3 Chip