SIZ900DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Numer części
SIZ900DT-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-PowerPair™
Moc - maks
48W, 100W
Pakiet urządzeń dostawcy
6-PowerPair™
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1830pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34288 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIZ900DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3 Części elektroniczne
SIZ900DT-T1-GE3 Obroty
SIZ900DT-T1-GE3 Dostawca
SIZ900DT-T1-GE3 Dystrybutor
SIZ900DT-T1-GE3 Tabela danych
SIZ900DT-T1-GE3 Zdjęcia
SIZ900DT-T1-GE3 Cena
SIZ900DT-T1-GE3 Oferta
SIZ900DT-T1-GE3 Najniższa cena
SIZ900DT-T1-GE3 Szukaj
SIZ900DT-T1-GE3 Nabywczy
SIZ900DT-T1-GE3 Chip