Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Numer części
SIZ200DT-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerWDFN
Moc - maks
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24914 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIZ200DT-T1-GE3
SIZ200DT-T1-GE3 Części elektroniczne
SIZ200DT-T1-GE3 Obroty
SIZ200DT-T1-GE3 Dostawca
SIZ200DT-T1-GE3 Dystrybutor
SIZ200DT-T1-GE3 Tabela danych
SIZ200DT-T1-GE3 Zdjęcia
SIZ200DT-T1-GE3 Cena
SIZ200DT-T1-GE3 Oferta
SIZ200DT-T1-GE3 Najniższa cena
SIZ200DT-T1-GE3 Szukaj
SIZ200DT-T1-GE3 Nabywczy
SIZ200DT-T1-GE3 Chip