Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SISS72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V
Numer części
SISS72DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8S
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8S
Rozpraszanie mocy (maks.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
7A (Ta), 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
550pF @ 75V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46392 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SISS72DN-T1-GE3
SISS72DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SISS72DN-T1-GE3 Obroty
SISS72DN-T1-GE3 Dostawca
SISS72DN-T1-GE3 Dystrybutor
SISS72DN-T1-GE3 Tabela danych
SISS72DN-T1-GE3 Zdjęcia
SISS72DN-T1-GE3 Cena
SISS72DN-T1-GE3 Oferta
SISS72DN-T1-GE3 Najniższa cena
SISS72DN-T1-GE3 Szukaj
SISS72DN-T1-GE3 Nabywczy
SISS72DN-T1-GE3 Chip