SISS02DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Numer części
SISS02DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8S
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8S
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
83nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4450pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
+16V, -12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16926 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SISS02DN-T1-GE3
SISS02DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SISS02DN-T1-GE3 Obroty
SISS02DN-T1-GE3 Dostawca
SISS02DN-T1-GE3 Dystrybutor
SISS02DN-T1-GE3 Tabela danych
SISS02DN-T1-GE3 Zdjęcia
SISS02DN-T1-GE3 Cena
SISS02DN-T1-GE3 Oferta
SISS02DN-T1-GE3 Najniższa cena
SISS02DN-T1-GE3 Szukaj
SISS02DN-T1-GE3 Nabywczy
SISS02DN-T1-GE3 Chip