Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Numer części
SISS27DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5250pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29742 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SISS27DN-T1-GE3
SISS27DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SISS27DN-T1-GE3 Obroty
SISS27DN-T1-GE3 Dostawca
SISS27DN-T1-GE3 Dystrybutor
SISS27DN-T1-GE3 Tabela danych
SISS27DN-T1-GE3 Zdjęcia
SISS27DN-T1-GE3 Cena
SISS27DN-T1-GE3 Oferta
SISS27DN-T1-GE3 Najniższa cena
SISS27DN-T1-GE3 Szukaj
SISS27DN-T1-GE3 Nabywczy
SISS27DN-T1-GE3 Chip