SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Numer części
SISF00DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8SCD
Moc - maks
69.4W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8SCD
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
53nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 37996 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SISF00DN-T1-GE3 Obroty
SISF00DN-T1-GE3 Dostawca
SISF00DN-T1-GE3 Dystrybutor
SISF00DN-T1-GE3 Tabela danych
SISF00DN-T1-GE3 Zdjęcia
SISF00DN-T1-GE3 Cena
SISF00DN-T1-GE3 Oferta
SISF00DN-T1-GE3 Najniższa cena
SISF00DN-T1-GE3 Szukaj
SISF00DN-T1-GE3 Nabywczy
SISF00DN-T1-GE3 Chip