SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
Numer części
SISC06DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
27.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
58nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2455pF @ 15V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42225 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SISC06DN-T1-GE3
SISC06DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SISC06DN-T1-GE3 Obroty
SISC06DN-T1-GE3 Dostawca
SISC06DN-T1-GE3 Dystrybutor
SISC06DN-T1-GE3 Tabela danych
SISC06DN-T1-GE3 Zdjęcia
SISC06DN-T1-GE3 Cena
SISC06DN-T1-GE3 Oferta
SISC06DN-T1-GE3 Najniższa cena
SISC06DN-T1-GE3 Szukaj
SISC06DN-T1-GE3 Nabywczy
SISC06DN-T1-GE3 Chip