SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
Numer części
SISB46DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8 Dual
Moc - maks
23W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.71 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100pF @ 20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 12316 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SISB46DN-T1-GE3
SISB46DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SISB46DN-T1-GE3 Obroty
SISB46DN-T1-GE3 Dostawca
SISB46DN-T1-GE3 Dystrybutor
SISB46DN-T1-GE3 Tabela danych
SISB46DN-T1-GE3 Zdjęcia
SISB46DN-T1-GE3 Cena
SISB46DN-T1-GE3 Oferta
SISB46DN-T1-GE3 Najniższa cena
SISB46DN-T1-GE3 Szukaj
SISB46DN-T1-GE3 Nabywczy
SISB46DN-T1-GE3 Chip