Kup Vishay Siliconix SISA72ADN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK 1212

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

SISA72ADN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK 1212

Numer części

SISA72ADN-T1-GE3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET® Gen IV

Stan części

Active

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® 1212-8

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® 1212-8

Rozpraszanie mocy (maks.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Napięcie dren-źródło (Vdss)

40V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

50nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

2530pF @ 20V

Vgs (maks.)

+20V, -16V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

4.5V, 10V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 20902 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane