Kup Vishay Siliconix SISA10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

SISA10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Numer części

SISA10DN-T1-GE3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET®

Stan części

Active

Opakowanie

Digi-Reel®

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® 1212-8

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® 1212-8

Rozpraszanie mocy (maks.)

3.6W (Ta), 39W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

51nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

2425pF @ 15V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

4.5V, 10V

Vgs (maks.)

+20V, -16V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 10644 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SISA01DN-T1-GE3