SIS902DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Numer części
SIS902DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8 Dual
Moc - maks
15.4W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
75V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
186 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
175pF @ 38V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49603 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIS902DN-T1-GE3
SIS902DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SIS902DN-T1-GE3 Obroty
SIS902DN-T1-GE3 Dostawca
SIS902DN-T1-GE3 Dystrybutor
SIS902DN-T1-GE3 Tabela danych
SIS902DN-T1-GE3 Zdjęcia
SIS902DN-T1-GE3 Cena
SIS902DN-T1-GE3 Oferta
SIS902DN-T1-GE3 Najniższa cena
SIS902DN-T1-GE3 Szukaj
SIS902DN-T1-GE3 Nabywczy
SIS902DN-T1-GE3 Chip