SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Numer części
SIS888DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
ThunderFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TA)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8S
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
420pF @ 75V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
7.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 50345 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIS888DN-T1-GE3
SIS888DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SIS888DN-T1-GE3 Obroty
SIS888DN-T1-GE3 Dostawca
SIS888DN-T1-GE3 Dystrybutor
SIS888DN-T1-GE3 Tabela danych
SIS888DN-T1-GE3 Zdjęcia
SIS888DN-T1-GE3 Cena
SIS888DN-T1-GE3 Oferta
SIS888DN-T1-GE3 Najniższa cena
SIS888DN-T1-GE3 Szukaj
SIS888DN-T1-GE3 Nabywczy
SIS888DN-T1-GE3 Chip