Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
Numer części
SIRC06DP-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
32A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
58nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2455pF @ 15V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 5371 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIRC06DP-T1-GE3
SIRC06DP-T1-GE3 Części elektroniczne
SIRC06DP-T1-GE3 Obroty
SIRC06DP-T1-GE3 Dostawca
SIRC06DP-T1-GE3 Dystrybutor
SIRC06DP-T1-GE3 Tabela danych
SIRC06DP-T1-GE3 Zdjęcia
SIRC06DP-T1-GE3 Cena
SIRC06DP-T1-GE3 Oferta
SIRC06DP-T1-GE3 Najniższa cena
SIRC06DP-T1-GE3 Szukaj
SIRC06DP-T1-GE3 Nabywczy
SIRC06DP-T1-GE3 Chip