Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIHP30N60AEL-GE3X
MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB
Numer części
SIHP30N60AEL-GE3X
Producent/marka
Seria
EL
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
120nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2565pF @ 100V
Vgs (maks.)
±30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16139 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIHP30N60AEL-GE3X
SIHP30N60AEL-GE3X Części elektroniczne
SIHP30N60AEL-GE3X Obroty
SIHP30N60AEL-GE3X Dostawca
SIHP30N60AEL-GE3X Dystrybutor
SIHP30N60AEL-GE3X Tabela danych
SIHP30N60AEL-GE3X Zdjęcia
SIHP30N60AEL-GE3X Cena
SIHP30N60AEL-GE3X Oferta
SIHP30N60AEL-GE3X Najniższa cena
SIHP30N60AEL-GE3X Szukaj
SIHP30N60AEL-GE3X Nabywczy
SIHP30N60AEL-GE3X Chip