Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V
Numer części
SIHP050N60E-GE3
Producent/marka
Seria
E
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
278W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3459pF @ 100V
Vgs (maks.)
±30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42835 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIHP050N60E-GE3
SIHP050N60E-GE3 Części elektroniczne
SIHP050N60E-GE3 Obroty
SIHP050N60E-GE3 Dostawca
SIHP050N60E-GE3 Dystrybutor
SIHP050N60E-GE3 Tabela danych
SIHP050N60E-GE3 Zdjęcia
SIHP050N60E-GE3 Cena
SIHP050N60E-GE3 Oferta
SIHP050N60E-GE3 Najniższa cena
SIHP050N60E-GE3 Szukaj
SIHP050N60E-GE3 Nabywczy
SIHP050N60E-GE3 Chip