Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIHP18N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Numer części
SIHP18N50C-E3
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Bulk
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
223W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
76nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2942pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9937 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIHP18N50C-E3
SIHP18N50C-E3 Części elektroniczne
SIHP18N50C-E3 Obroty
SIHP18N50C-E3 Dostawca
SIHP18N50C-E3 Dystrybutor
SIHP18N50C-E3 Tabela danych
SIHP18N50C-E3 Zdjęcia
SIHP18N50C-E3 Cena
SIHP18N50C-E3 Oferta
SIHP18N50C-E3 Najniższa cena
SIHP18N50C-E3 Szukaj
SIHP18N50C-E3 Nabywczy
SIHP18N50C-E3 Chip