Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIHJ7N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Numer części
SIHJ7N65E-T1-GE3
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
598 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
820pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53192 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIHJ7N65E-T1-GE3
SIHJ7N65E-T1-GE3 Części elektroniczne
SIHJ7N65E-T1-GE3 Obroty
SIHJ7N65E-T1-GE3 Dostawca
SIHJ7N65E-T1-GE3 Dystrybutor
SIHJ7N65E-T1-GE3 Tabela danych
SIHJ7N65E-T1-GE3 Zdjęcia
SIHJ7N65E-T1-GE3 Cena
SIHJ7N65E-T1-GE3 Oferta
SIHJ7N65E-T1-GE3 Najniższa cena
SIHJ7N65E-T1-GE3 Szukaj
SIHJ7N65E-T1-GE3 Nabywczy
SIHJ7N65E-T1-GE3 Chip