SIHF12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Numer części
SIHF12N65E-GE3
Producent/marka
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220 Full Pack
Rozpraszanie mocy (maks.)
33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1224pF @ 100V
Vgs (maks.)
±30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35638 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3 Części elektroniczne
SIHF12N65E-GE3 Obroty
SIHF12N65E-GE3 Dostawca
SIHF12N65E-GE3 Dystrybutor
SIHF12N65E-GE3 Tabela danych
SIHF12N65E-GE3 Zdjęcia
SIHF12N65E-GE3 Cena
SIHF12N65E-GE3 Oferta
SIHF12N65E-GE3 Najniższa cena
SIHF12N65E-GE3 Szukaj
SIHF12N65E-GE3 Nabywczy
SIHF12N65E-GE3 Chip