SIB406EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
Numer części
SIB406EDK-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SC-75-6L
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-75-6L Single
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.95W (Ta), 10W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 18256 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIB406EDK-T1-GE3
SIB406EDK-T1-GE3 Części elektroniczne
SIB406EDK-T1-GE3 Obroty
SIB406EDK-T1-GE3 Dostawca
SIB406EDK-T1-GE3 Dystrybutor
SIB406EDK-T1-GE3 Tabela danych
SIB406EDK-T1-GE3 Zdjęcia
SIB406EDK-T1-GE3 Cena
SIB406EDK-T1-GE3 Oferta
SIB406EDK-T1-GE3 Najniższa cena
SIB406EDK-T1-GE3 Szukaj
SIB406EDK-T1-GE3 Nabywczy
SIB406EDK-T1-GE3 Chip