SIA811ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Numer części
SIA811ADJ-T1-GE3
Producent/marka
Seria
LITTLE FOOT®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
345pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25223 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIA811ADJ-T1-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3 Części elektroniczne
SIA811ADJ-T1-GE3 Obroty
SIA811ADJ-T1-GE3 Dostawca
SIA811ADJ-T1-GE3 Dystrybutor
SIA811ADJ-T1-GE3 Tabela danych
SIA811ADJ-T1-GE3 Zdjęcia
SIA811ADJ-T1-GE3 Cena
SIA811ADJ-T1-GE3 Oferta
SIA811ADJ-T1-GE3 Najniższa cena
SIA811ADJ-T1-GE3 Szukaj
SIA811ADJ-T1-GE3 Nabywczy
SIA811ADJ-T1-GE3 Chip