SI7601DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Numer części
SI7601DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
27nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1870pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16177 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI7601DN-T1-GE3
SI7601DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SI7601DN-T1-GE3 Obroty
SI7601DN-T1-GE3 Dostawca
SI7601DN-T1-GE3 Dystrybutor
SI7601DN-T1-GE3 Tabela danych
SI7601DN-T1-GE3 Zdjęcia
SI7601DN-T1-GE3 Cena
SI7601DN-T1-GE3 Oferta
SI7601DN-T1-GE3 Najniższa cena
SI7601DN-T1-GE3 Szukaj
SI7601DN-T1-GE3 Nabywczy
SI7601DN-T1-GE3 Chip