Kup Vishay Siliconix SI7456DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SI7456DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Numer części

SI7456DP-T1-GE3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET®

Stan części

Active

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® SO-8

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® SO-8

Rozpraszanie mocy (maks.)

1.9W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

100V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

5.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

44nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

6V, 10V

Vgs (maks.)

±20V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 5660 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane