Kup Vishay Siliconix SI7403BDN-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

SI7403BDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8

Numer części

SI7403BDN-T1-E3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET®

Stan części

Obsolete

Opakowanie

Cut Tape (CT)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® 1212-8

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® 1212-8

Rozpraszanie mocy (maks.)

3.1W (Ta), 9.6W (Tc)

Typ FET

P-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

20V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

74 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

15nC @ 8V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

430pF @ 10V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

2.5V, 4.5V

Vgs (maks.)

±8V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 31745 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SI7402DN-T1-E3