Kup Vishay Siliconix SI7407DN-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SI7407DN-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

Numer części

SI7407DN-T1-E3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET®

Stan części

Obsolete

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® 1212-8

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® 1212-8

Rozpraszanie mocy (maks.)

1.5W (Ta)

Typ FET

P-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

12V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

9.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 15.6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 400µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

59nC @ 4.5V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

1.8V, 4.5V

Vgs (maks.)

±8V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 14720 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SI7402DN-T1-E3