SI7308DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
Numer części
SI7308DN-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
665pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 31124 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI7308DN-T1-E3
SI7308DN-T1-E3 Części elektroniczne
SI7308DN-T1-E3 Obroty
SI7308DN-T1-E3 Dostawca
SI7308DN-T1-E3 Dystrybutor
SI7308DN-T1-E3 Tabela danych
SI7308DN-T1-E3 Zdjęcia
SI7308DN-T1-E3 Cena
SI7308DN-T1-E3 Oferta
SI7308DN-T1-E3 Najniższa cena
SI7308DN-T1-E3 Szukaj
SI7308DN-T1-E3 Nabywczy
SI7308DN-T1-E3 Chip