SI6913DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Numer części
SI6913DQ-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Moc - maks
830mW
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSSOP
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 400µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 31744 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI6913DQ-T1-E3
SI6913DQ-T1-E3 Części elektroniczne
SI6913DQ-T1-E3 Obroty
SI6913DQ-T1-E3 Dostawca
SI6913DQ-T1-E3 Dystrybutor
SI6913DQ-T1-E3 Tabela danych
SI6913DQ-T1-E3 Zdjęcia
SI6913DQ-T1-E3 Cena
SI6913DQ-T1-E3 Oferta
SI6913DQ-T1-E3 Najniższa cena
SI6913DQ-T1-E3 Szukaj
SI6913DQ-T1-E3 Nabywczy
SI6913DQ-T1-E3 Chip