SI4686DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Numer części
SI4686DY-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Rozpraszanie mocy (maks.)
3W (Ta), 5.2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
26nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1220pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20161 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3 Części elektroniczne
SI4686DY-T1-E3 Obroty
SI4686DY-T1-E3 Dostawca
SI4686DY-T1-E3 Dystrybutor
SI4686DY-T1-E3 Tabela danych
SI4686DY-T1-E3 Zdjęcia
SI4686DY-T1-E3 Cena
SI4686DY-T1-E3 Oferta
SI4686DY-T1-E3 Najniższa cena
SI4686DY-T1-E3 Szukaj
SI4686DY-T1-E3 Nabywczy
SI4686DY-T1-E3 Chip