Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI4618DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Numer części
SI4618DY-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
1.98W, 4.16W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A, 15.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1535pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36176 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI4618DY-T1-GE3
SI4618DY-T1-GE3 Części elektroniczne
SI4618DY-T1-GE3 Obroty
SI4618DY-T1-GE3 Dostawca
SI4618DY-T1-GE3 Dystrybutor
SI4618DY-T1-GE3 Tabela danych
SI4618DY-T1-GE3 Zdjęcia
SI4618DY-T1-GE3 Cena
SI4618DY-T1-GE3 Oferta
SI4618DY-T1-GE3 Najniższa cena
SI4618DY-T1-GE3 Szukaj
SI4618DY-T1-GE3 Nabywczy
SI4618DY-T1-GE3 Chip