Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI4567DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Numer części
SI4567DY-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
2.75W, 2.95W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5A, 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
355pF @ 20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34961 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI4567DY-T1-GE3
SI4567DY-T1-GE3 Części elektroniczne
SI4567DY-T1-GE3 Obroty
SI4567DY-T1-GE3 Dostawca
SI4567DY-T1-GE3 Dystrybutor
SI4567DY-T1-GE3 Tabela danych
SI4567DY-T1-GE3 Zdjęcia
SI4567DY-T1-GE3 Cena
SI4567DY-T1-GE3 Oferta
SI4567DY-T1-GE3 Najniższa cena
SI4567DY-T1-GE3 Szukaj
SI4567DY-T1-GE3 Nabywczy
SI4567DY-T1-GE3 Chip