SI4500BDY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Numer części
SI4500BDY-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
1.3W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Typ FET
N and P-Channel, Common Drain
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42023 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI4500BDY-T1-E3
SI4500BDY-T1-E3 Części elektroniczne
SI4500BDY-T1-E3 Obroty
SI4500BDY-T1-E3 Dostawca
SI4500BDY-T1-E3 Dystrybutor
SI4500BDY-T1-E3 Tabela danych
SI4500BDY-T1-E3 Zdjęcia
SI4500BDY-T1-E3 Cena
SI4500BDY-T1-E3 Oferta
SI4500BDY-T1-E3 Najniższa cena
SI4500BDY-T1-E3 Szukaj
SI4500BDY-T1-E3 Nabywczy
SI4500BDY-T1-E3 Chip